實驗室圍繞光電信息科技與產業領域,布局戰略性先進光電材料、新型照明與顯示、高速通訊與感知等三大研究方向,實現光電信息產業核心技術自主可控,建成光電信息領域國際一流的創新創業創造高地和高層次人才培養基地,為推動高質量發展超越、促進光電信息產業集群跨越式發展和產業結構優化升級提供強有力科技支撐。
功率型氮化鎵基材外延生長研發與產業化示范項目組主要從事6英寸Si基板GaN外延片生長關鍵技術研發與產業化示范,提高外延片良率,實現中試及以上規模。根據工作需要,項目組擬招聘以下崗位:
一、招聘需求
崗位名稱 | 招聘人數 | 崗位職責 | 崗位要求 |
芯片工藝工程師 | 1 |
1、制定氮化鎵V/III芯片流片制程(先期產品開發/解析、制訂制造程序與作業標準化)。 2、解決流片工藝與外延工藝的匹配性問題。 3、參與氮化鎵外延技術研發工作。 4、解決芯片開發過程中的相關設計、可靠性等問題,保障芯片開發正常推進。 |
1、具有氮化鎵V/III流片工藝研發工作經歷; 2、熟悉半導體、微電子/光電等領域的無塵車間工作經驗,且具備團隊領導能力; 3、10年以上相關工作經驗且具有博士以上學歷。 |
外延研發工程師 | 2 |
1、使用MOCVD機臺在襯底上制備晶圓薄膜材料及工藝調試 2、使用仿真軟件或檢測設備,量測外延基版及晶圓薄膜材料的表征并且分析測試數據。 3、參與科研資料的撰寫與匯整。 4、完成交辦的其他任務。 |
1、碩士及以上學歷,具備物理,化學,材料或微電子學等專業學科。 2、具備器件仿真軟件或測試設備操作經驗,能夠對芯片結構、電學等性能進行分析。 3、工作踏實,積極主動,擅于學習,富有團隊精神。 |
外延設備工程師 | 2 |
1、負責MOCVD及光學檢測設備硬件的安裝,調試。 2、負責MOCVD機臺的日常維護,對機臺進行定期檢修和維護,負責異常情況的處理。 3、負責設備安全操作、安全知識的教育和培訓工作,并編寫設備SOP手冊。 4、完成交辦的其他任務。 |
1、本科以上學歷,機械、電子、機電工程、自動化相關專業;或具備兩年以上半導體、光電子相關工作經驗; 2、熟悉MOCVD設備; 3、熟悉設備運作、PM操作、故障分析,熟悉外延制造廠運作流程及模式。 |
1.薪酬待遇:執行實驗室現有的具有市場競爭力的薪酬和績效標準。
2.人才政策:實驗室可協助申請各類人才配套待遇。符合實驗室高層次人才評定條件的,應聘時可按照有關規定申請高層次人才及配套待遇的認定。
3.職稱評定:根據相關政策規定申請職稱評定。
4.人才培養:實驗室堅持績效和目標導向,在職稱評定、學術交流與培訓、科研績效支出等方面向青年骨干人員傾斜,助力青年人才快速成長。
5.基本保障:按照福州市相關繳費比例繳納五險一金,享受國家規定的各類假期、帶薪年休假及年度體檢等福利待遇。
三、應聘流程
1.應聘申請材料:應聘申請表、身份證/護照、學歷/學位證書、學術成就目錄、獲獎證明、專利證書等復印件以及本人認為有必要提供的其他相關材料;
2.材料以“崗位名稱+姓名+項目名稱 ”命名發送至:Talents@fjoel.cn
3.招聘考核分為資格審查、專家面試、室務會審批等環節。對于通過資格審查的應聘者,由實驗室組織評審專家對應聘者進行面試。相關崗位未招滿前,崗位招聘啟事長期有效。應聘申請材料恕不退還,實驗室將予以嚴格保密。
四、聯系方式
1.聯系電話:+86-0591-63173852,13107686352 肖老師
2.實驗室網址:http://fjoel.cn/
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來源鏈接:
http://fjoel.cn/rczp/shzp/202112/t20211230_677110.html
為防止簡歷投遞丟失請抄送一份至:boshijob@126.com(郵件標題格式:應聘職位名稱+姓名+學歷+專業+中國博士人才網)
中國-博士人才網發布
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