出青年、國家級青年人才（培育）、中國科學院青促會會員等人才構成的科技創新團隊，主持了多項國家級科研項目，產出了多項原創性科技成果，并成功實現了多項科技成果的轉化。
研究方向：
（1）氮化鎵基半導體材料外延生長
（2）InGaN基半導體激光器與Micro-LED等光電器件
（3）氮化鎵基功率電子與射頻電子器件
（4）氮化鎵基光電器件與電子器件失效分析及可靠性加固
崗位1：高層次青年人才3-5名
（1）中國科學院青年人才
申請人具有博士學位，具備優良的科技創新潛質，有獨立開展工作和較好的團隊協作能力。應具有取得博士學位后在知名科研機構、高校或大型企業研發機構等不少于3年（含）的科研工作經歷，或具有擔任副教授或相當崗位的任職經歷；對關鍵核心技術領域國家重大任務急需，在海外取得博士學位且特別優秀者，工作年限可適當放寬。原則上年齡不超過40周歲。
薪酬待遇：固定薪酬42萬元，另加獎勵績效及單位社保福利12萬元。
個人補貼（含安家補貼）：100萬元起。
科研經費：啟動經費800萬元。
聘任崗位：研究員或者項目研究員（在編）
其他政策：優先推薦申請各類人才計劃。提供滿足需要的辦公場所和實驗用房。繳納社保公積金，同時提供補充醫療保險。提供人才中轉房。
（2）研究所引進人才
申請人具有博士學位，有連續2年及以上的海外知名高校、科研機構的學習、工作經歷。研究背景符合研究所“十四五”發展規劃重點領域，年齡不超過35周歲。具有良好的團隊協作能力和科技創新潛質，參加過重要研究項目，發表過高水平研究論文，或在本領域獨立從事過專項技術研發工作，并已取得優秀研究成果。恪守學術道德，學風正派、誠實守信、嚴謹治學。
薪酬待遇：固定薪酬36萬元，另加獎勵績效及單位社保福利10萬元。
個人補貼（含安家補貼）：40萬元起。
科研經費：啟動經費100-200萬元。
聘任崗位：項目研究員或者副研究員（在編）
其他政策：優先推薦申請各類人才計劃。提供滿足需要的辦公場所和實驗用房。繳納社保公積金，同時提供補充醫療保險。
崗位2：博士后（特別研究助理）人才5-8名
申請人即將或者已經取得博士學位3年以內，電子信息、材料、物理等相關專業，年齡一般不超過35周歲。對科研工作感興趣，能夠獨立從事相關科研實驗，具備較好的英文閱讀、寫作能力；具有良好的職業道德、嚴謹求實的學風和合作精神。
薪酬待遇：固定薪酬28萬元，特別優秀者固定薪酬58萬元起，另加獎勵績效。在站期間可參加崗位晉升，晉升為副高后可入編。
其他政策：可申請各類科研項目，可獲得公派出國深造的機會。同時享有人才優購、子女入學協助等待遇。在站期間可參加蘇州市高級職稱評定。出站留蘇享受30萬元安家補貼。
可爭取的其它個人補貼：
（1）入選博新計劃（項目經費60萬元），20萬元。
（2）江蘇省卓越博士后計劃，30萬元（對符合江蘇省優勢產業鏈建設需求、個人綜合條件優秀且博士畢業于全球排名前100高校的博士畢業生復核后入選）。
（3）中國科學院特別研究助理資助項目或研究所優秀博士后計劃，12萬元。
（4）中國博士后科學基金面上資助和特別資助（項目經費8-18萬元），2-5萬元不等。
崗位3：工程師3-5名
崗位要求：
（1）具有碩士學歷，或者本科學歷及4年以上半導體行業的工作經驗；年齡一般不超過35周歲；
（2）具有III族氮化物半導體材料生長、光電子器件工藝及功率電子器件工藝研發經驗的優先考慮；
（3）具有扎實的專業基礎知識和實驗技能，良好的英語讀寫能力；
（4）具有較強的團隊合作意識、責任心和獨立開展工作的能力；
（5）動手能力強，認真細心，踏實肯干，善于溝通。
崗位待遇：
（1）薪資：中國科學院蘇州納米所為國家級事業單位，根據崗位職級提供有競爭性的薪酬待遇（工資+績效獎勵）。
（2）福利：享受五險一金（含公積金）、午餐補帖、工會福利、職工體檢等。
應聘方式：
請應聘者將簡歷及相關證明材料通過郵件，以“應聘崗位+姓名 ”為主題發送至郵箱：xren2011@sinano.ac.cn，我們將以郵件或電話的方式通知通過初選的應聘者，參加線上面試和本單位組織的現場面試。聯系人：任老師，聯系電話：0512-62872640。
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為防止簡歷投遞丟失請抄送一份至：boshijob@126.com（郵件標題格式：應聘職位名稱+姓名+學歷+專業+中國博士人才網）
中國-博士人才網發布
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