一、課題組簡介
基于過去半個世紀的大量科研投入，硅基半導體材料的物理極限被充分發掘，現代電子器件的進一步發展受限于硅材料的本征性能及其單一功能，對下一代非硅半導體技術的研究是未來電子科技進步的基礎和動力。本實驗室主要從事下一代高性能晶體半導體材料合成、工藝開發以及器件應用研究。主要研究方向為：
1.開發新型二維材料或超薄準二維材料，現階段涉及III-V族氮化物、II-VI族氧化物，以及石墨烯、氮化硼、過渡金屬硫化物。
2.開發三維異質結構堆疊工藝，探索界面產生的包括力學、電學、光學、熱學等物理現象。
3.由此開發功能集成，可應用于集成電路和集成光學。本實驗室研究致力于開拓超微型多功能集成芯片的新解決方案，并應用于人工智能、人機界面、物聯網等未來場景。
二、招聘崗位及條件
1. 招聘崗位：博士后（若干名）
2. 任職條件：能獨立開展科研工作，有優秀的科研成果。
3. 任職要求：
（1）年齡不超過35周歲；
（2）在化學、物理、材料或電子工程方向已取得或即將取得博士學位。
（3）有以下領域研究經歷應聘者優先考慮：
a. 大單晶生長，熟悉提拉法生長方式原理與設備操作設計，及晶圓后處理與表征等工序
b. 寬禁帶半導體器件工藝、測試
c. 電路設計
d. 人工智能深度學習算法
4. 崗位職責：
（1）在新一代半導體研究領域開展創新性理論與方法研究；
（2）參與共同指導訓練所有層級的學生（博士生、碩士生、本科生、實習生）；
（3）與實驗室團隊成員、合作團隊及工業伙伴合作研究。
三、薪酬待遇
根據西湖大學相關規定以及申請人工作能力，實驗室將提供在國內外具有競爭力的薪酬待遇以及科研條件，及西湖大學的相關福利。具體待遇面議。對獲得中國博士后科學基金資助和省級博士后科研項目資助的，市財政給予1:1配套資助。對出站留杭（來杭）工作的博士后，給予每人40萬元補助。
針對申請人的職業規劃進行專門培養。1.本實驗室將大力支持團隊成員的學術研究職業發展；為團隊成員提供良好的研究氛圍；創造發表高質量有影響力文獻的條件；提供基金撰寫的培訓；提供在國內外作學術交流報告的機會；部分優秀博士后有機會作為訪問學者到麻省理工學院進行培訓交流半年至一年。2.此外本實驗室將依托科研成果創建產業化團隊，本方向成員將有機會參與到初創企業的發展過程。
四、應聘方式
請將簡歷及相關材料以PDF形式發送至kongwei@westlake.edu.cn郵箱，郵件標題請注明：“應聘博士后+本人姓名 ”，對于符合要求并通過初審者，將會通知安排面試。招聘啟事在崗位招滿前有效。
為防止簡歷投遞丟失請抄送一份至：boshijob@126.com（郵件標題格式：應聘職位名稱+姓名+學歷+專業+中國博士人才網）
中國-博士人才網發布
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