【課題組介紹】
為加快實施創新驅動發展戰略，由復旦大學與華大半導體聯合申報的上海碳化硅功率器件工程技術研究中心于2020年2月被上海市科委批準建立。中心通過與半導體器件生產和電力電子應用企業緊密合作，致力于研發基于寬禁帶半導體，特別是碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）材料為核心的新型功率器件、工藝和模塊，加速下一代寬禁帶半導體功率電子的廣泛應用。工程中心將致力創建具備國際領先水平的寬禁帶材料缺陷研究、器件制造工藝開發、元器件設計、模塊封裝以及可靠性測試、先進電力電子技術創新開放平臺及高層次工程技術型人才培養中心和產業化輻射中心。中心成立以來，已承擔多項寬禁帶功率器件和模塊重大項目，包括和龍頭企業研發碳化硅器件的特色新工藝、與國家重點實驗室開發超高壓碳化硅器件和封裝、參與多項省市科技重大專項等。中心正在積極建設寬禁帶半導體工藝研發創新平臺，和國際知名企業共建創新中心和研究院。中心現有教授/研究員7人，其中特聘教授3人，副教授/青年研究員13人。中心招收寬禁帶半導體物理與器件、半導體材料與集成電路、微納器件系統集成、器件及可靠性測試、電力電子技術等方向的物理電子學碩士、博士研究生。
中心負責人張清純教授，現任復旦大學工程與應用技術研究院特聘教授，博士生導師，上海碳化硅功率器件工程技術研究中心主任，復旦大學超越照明研究所副所長，專長于寬禁帶半導體物理與器件的教學、科研、應用與產業化，長期從事SiC器件的研發和產業化，是該領域國際知名專家。迄今已撰寫100余篇科技論文和SiC器件領域專著；多次受邀在國際碳化硅、功率半導體的學術會議上作大會報告；作為第一和合作發明人，擁有75多項美國專利；多次擔任ISPSD技術委員會成員和碳化硅器件分會主席；曾任國際電力電子技術路線圖研討會聯合主席等。
因研究工作需要，針對以下方向招聘博士后數名：
1)寬禁帶半導體材料生長與缺陷表征技術
2)寬帶半導體功率器件設計與先進制造工藝
4)高頻高功率先進封裝技術與可靠性測試
【職位要求】
1)已獲得或即將獲得微電子、電力電子器件與應用、半導體物理與材料、半導體制造裝備、材料科學與工程等相關專業的博士學位，具有扎實的理論基礎和較強動手實踐能力，至少具備相關領域一項相關研發經驗;
2)能獨立開展研究工作，并具有優秀的團隊合作精神，尤其是從事交叉性學科研究的能力，且具有優秀的動手能力和主動性；
3)具有良好的英語讀寫能力，可以獨立撰寫研究論文，具有功率半導體領域出色研發經歷將獲得優先考慮。
【工作職責】
在實驗室PI的指導下完成相關課題研究，并協助指導實驗室研究生的培養工作。
【薪酬待遇】
1)薪資待遇參照復旦大學相關標準，博士后公寓和子女入學等按照學校相關政策執行，課題組根據個人業績發放績效，優秀應聘者待遇從優。
2)提供優越的科研條件和穩定的支持，鼓勵博士后按照國家和地方相關政策申報博士后基金等各項基金。
3)鼓勵參加國內外學術會議，提供與國內外高水平實驗室進行學術交流的機會。
請應聘者提供個人簡歷，博士學位論文摘要，發表論文目錄和1-3篇代表作全文，以及其他可以證明本人能力和學術水平的相關資料，發送至：Qingchun_zhang@fudan.edu.cn，郵件請注明“應聘博士后+姓名 ”。實驗室將擇優通知面試，并提供住宿和往返車費，博后待遇從優，詳情面談。
2020年5月11日
為防止簡歷投遞丟失請抄送一份至：boshijob@126.com（郵件標題格式：應聘職位名稱+姓名+學歷+專業+中國博士人才網）
中國-博士人才網發布
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